Тонкопленочные транзисторы обеспечат массовое производство гибкой электроники
Подписаться на разделГруппа из Института передовых технологий (Advanced Technology Institute, ATI) Суррейского университета, работая совместно с учеными компании Phillips, разработала, изготовила и продемонстрировала опытные работающие образцы тонкопленочных транзисторов, на основе которым можно строить электронные логические схемы любой сложности.
В основу тонкопленочного транзистора легла структура SGT-транзистора (source-gated transistor), разработанного около десятилетия назад. Такие транзисторы работают в пять-десять раз медленнее, нежели обычные биполярные или полевые транзисторы, но они являются более надежными в работе, они потребляют меньше энергии в работе и переносят высокий уровень внешних электрических и магнитных воздействий, что позволяет избавиться от необходимости использования дополнительных защитных цепей. Такие свойства SGT-транзистора дает ему то, что управление движением потока электронов осуществляется не в объеме кристалла полупроводникового материала, а в точке контакта металла с полупроводником.
Структура SGT-транзисторов допускает их изготовление практически из любого полупроводникового материала, включая кремний, органические полупроводники, окись цинка и даже графен, что позволит значительно расширить область применения новых транзисторов.
В основу тонкопленочного транзистора легла структура SGT-транзистора (source-gated transistor), разработанного около десятилетия назад. Такие транзисторы работают в пять-десять раз медленнее, нежели обычные биполярные или полевые транзисторы, но они являются более надежными в работе, они потребляют меньше энергии в работе и переносят высокий уровень внешних электрических и магнитных воздействий, что позволяет избавиться от необходимости использования дополнительных защитных цепей. Такие свойства SGT-транзистора дает ему то, что управление движением потока электронов осуществляется не в объеме кристалла полупроводникового материала, а в точке контакта металла с полупроводником.
Структура SGT-транзисторов допускает их изготовление практически из любого полупроводникового материала, включая кремний, органические полупроводники, окись цинка и даже графен, что позволит значительно расширить область применения новых транзисторов.
| Источник: | И-Маш |
| Учетная запись: | МашПорт.ru |
| Дата: | 11.03.14 |
